Du fait de sa grande constante diélectrique et sa large bande interdite, l'oxyde d'hafnium a récemment été proposé pour remplacer l'oxyde thermique classique. Le but de cette thèse était de faire un point sur les propriétés électriques de ce nouveau matériau et de mieux comprendre les difficultés rencontrées par l'industrie de la microélectronique pour intégrer cet oxyde alternatif dans les futurs transistors CMOS. Cette thèse est organisée en quatre chapitres. Chacun d'entre eux est consacré à une propriété électrique essentielle de l'empilement haute permittivité : L'EOT (Epaisseur Equivalente Oxyde), la conduction à travers l'isolant, les défauts électriques dans l'oxyde et la fiabilité du diélectrique.